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科技報導

SK Hynix將為下一代HBM內存啟用DBI Ultra內部互聯技術



SK Hynix 剛剛與 Xperi Corp 簽署了一項廣泛的專利與技術授權協議,其中包括了 Invensas 開發的 DBI Ultra 2.5D / 3D 互聯技術。作為一項專有的管芯-晶片混合互聯技術,DBI Ultra 的間距低至 1μm,可實現每平方毫米 100 ~1000k 的互聯。製造商可將之用於 16-Hi 芯片製造,下一代內存和高度集成的多層 SoC 有望用上。

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(題圖 via AnandTech)

該公司稱,與傳統的銅柱互連技術(每平方毫米 625 個互聯)相比,DBI Ultra 支持更多的互聯數、可提供更大的帶寬。

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此外,DBI Ultra 能夠縮短三維高度,在常規 8-Hi 相同的空間裡實現 16-Hi 的芯片堆疊,從而帶來更大的存儲密度。

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與其它下一代互連技術一樣,DBI Ultra 支持 2.5D 和 3D 集成。此外,它允許集成不同尺寸、以及使用不同工藝技術生產的半導體器件。

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這種靈活性不僅可以造福於下一代大容量高帶寬內存解決方案(比如 3DS 和 HBM),還適用於各種高度集成的 CPU、GPU、ASIC、FPGA 和 SoC 等應用。

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DBI Ultra 使用的化學黏合劑,可以不增加互連層的支撐高度,且無需銅柱或底部填充。

儘管與傳統堆疊工藝使用的工藝流程有所不同,但 DBI Ultra 可繼續套用現有的模具、且無需高溫,因此成品率相對較高。

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當然,這麼做肯定需要付出一定的代價,或許這也是 Invensas 和 SK Hynix 沒有明確透露 DBI Ultra 在下一代存儲芯片上的使用成本的一個原因。