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三星 3D NAND、DRAM 產出延宕,拖累裝置商科林股價?

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三星 3D NAND、DRAM 產出延宕,拖累裝置商科林股價?

半導體蝕刻機臺製造商科林研發公司(Lam Research Corp.)受到市場謠傳三星電子(Samsung Electronics)的 3D NAND 型快快閃記憶體儲器、DRAM 產出延宕影響,股價跳空下挫,拖累美國費城半導體指數週四(6/7)走弱。

MarketWatch、barron’s.com 報導,向來看多的 Evercore ISI 分析師 C.J. Muse 7 日釋出研究報告指出,渠道調查顯示,科林 4~6 月、7~9 月這兩季的出貨量恐怕會低於預期,預料將驟減 30% 以上,似乎跟三星產出延宕有關。

不過,Muse 認為,三星的儲存器晶片延後產出,主要是受到毛利率影響,因此這個現象應該僅是短暫的。另外,NAND 型快快閃記憶體儲器的資本支出也有望在 2018 年第四季至 2019 年上半年間逐步復甦。

話雖如此,Muse 直指,雖然科林長期展望不變,短期內股價卻可能受到壓抑,直到該機構弄清出貨量降幅究竟有多少為止。

Muse 並表示,他聽說科林的狀況比應用材料(Applied Materials Inc.)、晶圓檢測裝置製造商科磊(KLA-Tencor Corporation)還要糟。

科林 7 日應聲下挫 5.4% 收 188.83 美元,創 4 月 30 日以來收盤低,在費半 30 支成分股中跌幅僅次於半導體測試控制儀器商 MKS Instruments, Inc. 的 7.33%。應用材料、科磊分別下跌 2.44%、1.28%。

費城半導體指數 7 日終場下跌 0.95%(13.6 點),收 1,424.34 點,結束連續 4 個交易日的漲勢。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:科林)

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