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英特爾展示Lakefield芯片本體 採用多層封裝設計



經歷了漫長的等待和爆料,英特爾終於將公眾的注意力吸引到了 Lakefield 芯片的本體上。如下圖所示,該公司芯片工程事業部的 Wilfred Gomes,讓我們看清了在放大鏡背後的 Lakefield 芯片的樣子。據悉,該系列處理器的亮點,在於採用了混合式設計 —— 包括一個大型的 Sunny Cove 內核(基於 10nm 製程),以及四個高效的 Tremont 內核(同樣基於 10nm 工藝)。

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(題圖 via Hardwareluxx)

有趣的是,英特爾並未使用單芯片,而是為 Lakefield 處理器上運用了 3D 堆疊的設計,涵蓋 CPU 內核、I/O、以及其它 IP 模塊。

借助此前介紹過的 Foveros 封裝技術,動態隨機存儲器(DRAM)可位於 Lakefield 芯片的頂層,且各個單獨的組件可運用不同的工藝組合。

即便算上封裝,Lakefield 處理器也只有五層,大小為 10×10 平方毫米,高度僅 1 毫米。

包括一個帶有高速緩存和 I/O 控制器的基礎芯片、單個 Sunny Cove 高性能內核 + 四個 Tremont 內核、Gen11 核顯、內存控制器芯片、以及雙層 DRAM(PoP 內存)。

英特爾宣稱待機功率僅為 2 mW,負載狀態下的表現暫不得而知。

首批採用 Lakefidle 處理器的設備包括微軟 Surface Neo、三星 Galaxy Book S、以及聯想 ThinkPad X1 Fold(均尚未正式發布)。

至於大家關心的這種“三明治”設計結構的散熱挑戰,鑑於 Lakefield 走的是經濟路線,想必也不會由太大的問題。