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福州大學李福山教授團隊在國際頂級期刊《Nat
2026年4月2日，福州大學李福山教授團隊在國際頂級期刊《Nature》在線發表題為《Nanoscale transfer‑printed full‑colour ultrahigh‑resolution quantum dot LEDs》的重磅成果，成功攻克全彩超高分辨率量子點發光二極管（QLED）的關鍵技術難題，為下一代沉浸式近眼顯示提供全新可行路徑。
當前AR/VR等近眼顯示迫切需要視網膜級分辨率（>10000 PPI）與高發光效率兼備的微顯示器，但硅基液晶、OLED、Micro‑LED等現有技術，在超高像素密度、全彩集成與器件性能統一上均存在明顯短板，而量子點全彩超高分辨率陣列製備一直是行業未攻克的核心卡點。
針對這一痛點，李福山團隊原創提出雙作用力動力學（DAFD）新策略，融合硬質硅模板納米壓印與倒置轉移印刷技術，實現亞微米級RGB像素的高精度、無串擾、高良率製造。該團隊採用兩步納米壓印‑倒置轉印工藝，先通過納米壓印形成高保真RGB微腔陣列，利用潤濕性差異將紅、綠、藍量子點墨水精準選擇性填充，杜絕顏色串擾；再通過倒置轉移印刷，在雙作用力驅動下讓量子點形成緻密無空洞薄膜，轉移良率超99.9%，最高實現25400 PPI像素密度，遠超視網膜級標準。同時，團隊通過在PVA絕緣層摻入TiO₂納米顆粒調控介電常數，匹配量子點介電特性，顯著抑制微孔邊緣電場集中，大幅降低漏電流、提升效率與穩定性，從根源解決高分辨率器件性能衰退問題。
此次研發的紅色器件（12700 PPI）峰值外量子效率達26.1%，1000 cd/m²亮度下T₉₅壽命65190小時，較傳統器件提升超千倍；全彩顯示色域覆蓋≥85% Rec.2020，白光器件峰值外量子效率達10.1%，顯著優於溶液共混型白光QLED；團隊還成功與CMOS驅動電路單片集成，製備出1920×1080、5600 PPI有源矩陣顯示面板，實現像素獨立精準尋址，兼容現有微電子架構。
該成果是福州大學信息類學科首次以第一單位在《Nature》發表研究論文，標誌着我國在超高分辨率量子點微顯示領域達到國際領先水平，將有力推動AR/VR、近眼顯示、高端微顯示芯片等領域的技術革新與產業落地。