三星公佈基於HKMG 技術的單條512GB DDR5 內存


三星512GB DDR5

三星

三星的內存開發又取得了新的進展,早些時候他們正式公佈了單條容量達 512GB 的DDR5 新品。它是基於HKMG 技術(High-K Metal Gate,高電介質金屬柵極),速度能達到7,200Mbps,是DDR4 的兩倍還要多。在TSV 矽通孔技術的加持下,其成功將8 層16Gb DRAM 芯片堆疊在了一起,32 顆DRAM 加在一起湊成了512GB 的容量。

在2018 年時,三星率先在用於GPU 的GDDR6 芯片上啟用了HKMG 技術。它選用了鉿而非矽,並以金屬取代了常規的多晶矽來打造柵極。這麼設計的好處是能實現更高的芯片密度,並可減少漏電,進一步降低功耗。根據三星的測試,使用HKMG 技術的芯片會比非HKMG 產品省電13%。

這樣的優勢非常適合數據中心、超級計算機、機器學習等應用場景,借三星的新聞稿,英特爾也透露該款512GB 的DDR5 內存將會適用於其下一代的Sapphire Rapids Xeon Scalable 處理器。它的架構中將包含一款8 通道DDR5 內存控制器,配合三星的產品有望達到460GB/s 的速度。至於普通的消費市場,估計要等到2022 年AMD 公佈支持DDR5 的Zen 4 平台之後,才能慢慢提高普及度吧。

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