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半導體材料概念股開年大漲。
我國攻克半導體材料世界難題
在芯片製造中,不同材料層間的“島狀”連接結構長期阻礙熱量傳遞,成為器件性能提升的關鍵瓶頸。
據科技日報,近日,西安電子科技大學郝躍院士、張進成教授團隊通過創新技術,成功將粗糙的“島狀”界面轉變為原子級平整的“薄膜”,使芯片散熱效率和器件性能獲得突破性提升。這項為半導體材料高質量集成提供“中國范式”的突破性成果,已發表在《自然·通訊》與《科學進展》上。
西安電子科技大學副校長、教授張進成介紹,傳統半導體芯片的晶體成核層表面凹凸不平,嚴重影響散熱效果。熱量散不出去會形成“熱堵點”,嚴重時導致芯片性能下降甚至器件損壞。這個問題自2014年相關成核技術獲得諾貝爾獎以來,一直未能徹底解決,成為射頻芯片功率提升的最大瓶頸。
本次研究團隊首創“離子注入誘導成核”技術,將原本隨機的生長過程轉為精準可控的均勻生長。實驗顯示,新結構界面熱阻僅為傳統的三分之一。基於該技術製備的氮化鎵微波功率器件,在X波段和Ka波段輸出功率密度分別達42瓦/毫米和20瓦/毫米,將國際紀錄提升30%—40%。这意味着同样芯片面积下,装备探测距离可显著增加,通信基站也能覆盖更远、更节能。
半導體材料國產化加速推進
半導體材料是芯片製造的基石,是用於製作集成電路、分立器件、傳感器、光電子器件等產品的重要材料。從光刻膠到矽片,從電子特氣到CMP拋光墊,半導體材料被譽為“芯片產業的糧食”。
中國工程院院士、北京有色金屬研究總院名譽院長屠海令曾表示,國產化進程正加速推進,大尺寸矽材料、砷化鎵等領域國產替代迎來“黃金窗口期”,半導體級矽材料國產化率已超過50%,拋光液等材料的國產化率也已突破30%。 AI算力、新能源汽車等終端需求,更是為上游材料企業創造了倍數級增長機遇。此外,行業創新活力迸發,以碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材料正加速應用於新能源汽車、5G通信等領域,有效提升了器件性能與能效。
據光大證券,TECHCET預計,2025年全球半導體材料市場規模約700億美元,同比增長6%;該機構同時預計2029年半導體材料市場規模將超過870億美元。國內方面,中商產業研究院統計及預測,2025年中國關鍵材料市場規模達1741億元,同比增長21.1%。
平安證券研報認為,當前地緣政治風險背景下,半導體材料國產化或將提速。隨著先進製程、存儲、封裝的快速發展,疊加國產化政策的有力推動,半導體國產化材料迎來重要發展機遇。
半導體材料概念取得開門紅
二級市場方面,2026年以來,半導體材料相關個股走勢強勁。
1月16日,在A股大盤指數調整的背景下,半導體材料概念股逆市走強,碳化矽龍頭天嶽先進收穫“20cm”漲停,康強電子錄得“10cm”漲停板,上海合晶、神工股份、華海誠科、華懋科技、安集科技等均漲超7%。
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僅1月16日當天,就有12只半導體材料概念股盤中股價創歷史新高,包括和林微納、珂瑪科技、凱德石英、南大光電等。
據證券時報·數據寶統計,截至1月16日收盤,半導體材料概念股今年以來平均上漲21.15%,大幅跑贏同期上證指數、創業板指數、科創50指數等。
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當前正值年報業績預告披露期,業績成為投資者關注焦點。在AI算力、數據中心、智能駕駛等賽道加速擴張的背景下,哪些半導體材料概念股具備高增長潛力?
據數據寶統計,根據5家及以上機構一致預測,2026年、2027年淨利潤增速均有望超20%的半導體材料概念股有12只。
這12股當中,以1月16日收盤價與機構一致預測目標價相比,德邦科技、昊華科技上漲空間均逾10%,分別達到39.21 %、10.86%。
德邦科技近期在投資者互動平台透露,在長江存儲的封測平台宏茂微,公司的固晶膠已經量產供貨,主要用於IC封裝環節;DAF(固晶膜)已經完成技術驗證並實現准入。
昊華科技現有三氟化氮產能5000噸/年,公司正在四川自貢沿灘基地新建6000噸/年三氟化氮項目,項目一期3000噸裝置已投產。公司三氟化氮產品主要應用於集成電路製造的蝕刻、清洗等環節。
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責編:何予
校對:劉星瑩