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[图]SK海力士展示DDR5 RDIMM內存:單條容量可達64GB



在CES 2020大展上,韓國DRAM和NAND閃存巨頭SK海力士(SK Hynix)展示了最新的存儲創新技術。在他們的展台上,最吸引人的莫過於“4D NAND”技術,以及首批基於該技術的消費級產品。

4D NAND作為一個概念最初於2018年8月上線,自然它沒有涉及到第四維度。傳統的3D NAND芯片主要使用電荷捕獲型閃存堆棧,該堆棧在空間上位於外圍模塊旁邊,該外圍模塊負責將所有這些CTF堆棧佈線。在4D NAND中,外圍塊與CTF堆棧本身堆疊在一起,從而在2-D平面上節約了空間,以便用於增加密度。

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在CES 2020展台上,外媒TechPowerUp發現了兩款使用128層4D NAND的客戶端細分硬盤–Platinum P31 M.2 NVMe和Gold P31 M.2 NVMe。從技術角度上來說,Platinum P31和Gold P31是相同的,只是容量(也包括耐用性)上存在差異。

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兩者都採用PCI-Express 3.0 x4和NVMe 1.3驅動,完全使用自家硬件構造,當然主控、DRAM緩存和128層4D NAND閃存等均是由SK Hynix自己製造。

Platinum P31僅具有2 TB的容量和1,500 TBW的耐用性; Gold P31的容量為500 GB和1 TB,分別為375 TBW和750 TBW。兩個驅動器均提供高達3500 MB / s的順序讀取和高達3200 MB / s的順序寫入。

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此外SK海力士還展示了最新一代的DDR5 RDIMM。 RDIMM專為下一代企業平台(例如英特爾“ Sapphire Rapids”)而設計,頻率為DDR5-4800 MHz,最高可以提供64 GB的密度。

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Sk海力士還提供了最新的LPDDR4X和原型LPDDR5存儲解決方案,旨在為下一代5G智能手機和超便攜式計算機提供澎湃動力。展台還現場演示了使用LPDDR4X解決方案和UFS 3.0存儲的智能手機,利用手機的前置攝像頭並立即生成4個高質量的濾鏡效果(這需要巨大的處理能力和存儲帶寬)。

LPDDR4X已經將數據速率推向了4,667 MT / s DDR,而LPDDR5將會從5,500 MT/s起步,並且會比LPDDR4X提供更低的功耗。