半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）秀出價值高達3.5億歐元（約合新台幣118.09億元）的High NA極紫外光（EUV）曝光機設備，除了率先取得設備之外，（2330）及三星訂購的新機台預計最快2026年陸續到位，屆時High NA EUV機台可望成為全球三大晶圓製造廠搶進2以下先進製程的必備武器。
外媒報導，艾斯摩爾近期對外秀出High NA EUV曝光機設備，一台要價3.5億歐元，大小等同於一台雙層巴士，重量更高達150公噸，相較於兩架空中巴士A320客機，裝機時間推估需要六個月，並需要250個貨箱、250名工程人員才能安裝完成，不僅價格高昂又相當耗時。
英特爾早在去年12月已先行拿下一台High NA EUV曝光機設備，不過，英特爾原預期將該曝光機設備導入在自家18A的先進製程量產，不過，日前英特爾執行長基辛格（Pat Gelsinger）宣布，不會在18A製程採用High NA EUV量產，代表暫時延後採用High NA EUV曝光機設備。
至於台積電、三星等晶圓代工大廠在High NA EUV設備機台採購上，腳步則慢於英特爾。業界指出，由於High NA EUV曝光機價格是當前EUV曝光機的兩倍，代表生產成本將大幅增加，由於明年即將量產的2奈米晶圓售價仍未大幅增加，成為台積電、三星不急於導入High NA EUV曝光機台的關鍵。
業界人士推測，台積電預計最快在1.4奈米（A14）才導入High NA EUV曝光機台，代表2025年才可望有採購設備的消息傳出，若按照台積電先前對外釋出的1.4奈米量產時間將落在2027年至2028年計畫下，台積電的High NA EUV曝光機台交貨時間可能落在2026年開始陸續交機。
不過，可以確定的是，艾司摩爾的High NA EUV曝光機台已成為英特爾、台積電及三星等晶圓製造大廠進軍2奈米以下先進製程的必備武器，僅是大量採用的時間先後順序差別。
事實上，進入7奈米以下後，台積電就開始導入EUV曝光機設備，原因在於光罩曝光層數大幅增加，在至少20層以上的重複曝光需求下，孔徑重複對準的精準度要求愈來愈高，讓EUV曝光機成為必備設備，不僅提高良率，也能降低生產成本。
標題：艾司摩爾新EUV三雄搶買 台積、三星機台最快2026到位
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