輝達認證!外媒曝三星HBM3E達標 力拼搶進下一代市場

▲三星電子。(圖/路透)

記者陳瑩欣/綜合報導

高階記憶體賽道出現變化,韓媒報導指出,三星第五代 12 層高頻寬記憶體 HBM3E 產品終於通過 NVIDIA品質認證測試,預計不久後開始供應高階記憶體晶片,這一進展預計將大幅縮小三星與領先企業之間在下一代HBM4競爭中的差距。

《BusinessKorea》指出,目前具備向NVIDIA供應HBM能力的三家公司——SK海力士、三星電子與Micron——之間的市場競爭預計將更加激烈。若三星電子與美光能在NVIDIA的HBM供應鏈中取得具代表性的市佔,將可能直接帶動業績的提升。

自今年以來,記憶體產業的重心已從通用型DRAM轉移至HBM,形成一個全新的競爭格局。今年上半年,SK海力士幾乎壟斷了輝達HBM供應鏈,首次登上全球記憶體產業的頂峰。

三星電子在通過NVIDIA的品質測試後,預計即將開始供應HBM3E 12層晶片。這距離三星於去年2月完成HBM3E 12層的開發已有一年半之久。

目前,三星電子已順利向美國半導體設計公司超微(AMD)與博通(Broadcom)供應HBM3E 12層晶片。後續對輝達供貨仍有待觀察,過去在HBM競爭中相對落後的三星電子,是否能透過進入NVIDIA供應鏈取得具意義的市佔率,從而展現截然不同的市場表現。

對於此次通過NVIDIA品質測試一事,三星電子相關人士表示:「我們無法確認與客戶相關的任何資訊。」


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