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Kioxia和西部數據希望通過XL-FLASH對抗Intel Optane



持久存儲市場中出現了一個新的參與者,這要歸功於Kioxia(以前是東芝)和西部數據,並且可能會促使英特爾和三星改進其自己的解決方案。英特爾Optane技術目前領先,到目前為止三星的Z-NAND還沒能撼動局面,但Kioxia和西部數據著手創造一種替代方案XL-FLASH,可以滿足企業客戶和數據中心不斷增長的存儲需求。

本質上,XL-FLASH與Optane類似,它位於內存層次結構圖中的NAND和RAM之間,將這兩種技術的優點結合在一起,從而在成本和性能之間取得平衡。這可以用於高速緩存和純存儲設備,但XL-FLASH的一個更重要的特點是,它的設計與英特爾和AMD平台都兼容。

與基於閃存的存儲相比,Optane的價格有點太昂貴了,三星的Z-NAND也是如此,後者實際上只是低延遲的SLC NAND存儲,與Optane相比,它提供了更好的耐用性,電源效率,順序性能和遊戲負載性能。兩者仍然比基於NAND的解決方案貴幾倍。

這也是Kioxia和西部數據在設計XL-FLASH時考慮的一個領域。這兩家公司使用BiCS FLASH 3D閃存作為新技術的起點,這意味著與Optane和DRAM相比,它們能夠實現相對較低的成本。它們將存儲單元堆疊在16個平面上可獲得更高的密度,而簡化的結構可使讀取延遲約為5微秒,編程延遲約為7微秒。

Kioxia和西部數據希望首先將XL-FLASH用作其高密度QLC NAND SSD的SLC緩存,但他們也正在探索製造MLC版本的新存儲技術以及DIMM解決方案。最終我們可以購買的用於遊戲和工作站PC的消費級XL-FLASH固態硬盤。

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