Categories
科技報導

鎧俠宣布Twin BiCS Flash半圓形3D閃存單元結構設計



鎧俠(Kioxia)宣布,其已開發出一種名叫“Twin BiCS FLASH”的新式半圓形 3D 存儲單元結構。與傳統循環設計的電荷陷阱單元相比,鎧俠首創的這種半圓形 3D 浮柵單元結構,具有更大的編程 / 擦除窗口和斜率,且單元尺寸做到了更小。展望未來,這種設計有望在超越 4-bit(QLC)的存儲裝置中發揮巨大作用 —— 減少堆棧層數、或提供更高的存儲密度。

鎧俠宣布Twin BiCS Flash半圓形3D閃存單元結構設計 1

(題圖 via Kitguru)

在本月早些時候於舊金山舉辦的 IEEE 國際電子設備會議上,鎧俠宣布了這項新技術。近年來,隨著 3D 堆疊層數的增加,廠商得以通過更低的成本來實現更高的位密度。

然而在層數超過 100 之後,工藝的複雜程度也迅速提升,對產品的良率和一致性提出了更大的挑戰。為了克服這些問題,鎧俠提出了全新的半圓形單元設計。

鎧俠宣布Twin BiCS Flash半圓形3D閃存單元結構設計 2

其在傳統圓形單元的基礎上,對柵電極進行了分割,從而減少單元的尺寸,以實現在較少單元層數的情況下,帶來高密度的存儲。

鎧俠稱,半圓形浮柵(FG)單元具有出色的編程 / 可擦寫特性,有望獲得緊密的 QLC Vt 分佈和較小的單元尺寸。

作為行業向前發展、追求更高比特密度的一個可行選項,該公司將繼續致力於 Twin BiCS FLASH 的研發,並將之投入實際應用。